EMC等測(cè)試之前的注意細(xì)節(jié)

2、絕緣耐壓測(cè)試DC500V，阻值大于100MΩ，初次級(jí)打AC3000V時(shí)間60S，小于10mA，產(chǎn)線量產(chǎn)可以打AC3600V，6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設(shè)置10mA，測(cè)試過(guò)程中測(cè)試儀器報(bào)警，要檢查初次級(jí)距離，初級(jí)到外殼，次級(jí)到外殼距離，能把測(cè)試室拉上窗簾更好，能快速找到放電的位置的電火花。

3、對(duì)地阻抗，一般要小于0.1Ω，測(cè)試條件電流40A。

4、ESD一般要求接觸4K，空氣8K，有個(gè)電阻電容模型問(wèn)題。一般會(huì)把等級(jí)提高了打，打到高的接觸8K，空氣15K。打ESD時(shí)，共模電感底下有放電針的話，放電針會(huì)放電。電源的ESD還會(huì)在散熱器與不同元器件之間打火，一般是距離問(wèn)題和PCB的layout問(wèn)題。打ESD打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓，做安規(guī)認(rèn)證時(shí)，心里有底。如果客戶有要求更高的電壓也知道怎么處理。參考EN61000-4-2。

5、EFT這個(gè)沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)問(wèn)題2KV。參考EN61000-4-4。

6、雷擊，差模1K，共模2K，采用壓敏14D471，有輸入大電解，走線沒(méi)有大問(wèn)題基本PASS。碰到過(guò)雷擊不過(guò)的情況，小功率5W，10W的打掛了，采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了MOSFET，在輸入橋堆后加入二極管與電解電容串聯(lián)，電容吸收能量。LED電源打2K與4K的情況，4KV就要采用壓敏電阻+GDT的形式。參考EN61000-4-5。

EFT，ESD，SURGE有A，B，C等級(jí)。一般要A等級(jí)：干擾對(duì)電源無(wú)影響。

7、低溫起機(jī)。一般便宜的電源，溫度范圍是0-45℃，貴的，工業(yè)類，或者LED什么的有要求-40℃-60℃，甚至到85℃。-40℃的時(shí)候輸入NTC增大了N倍，輸入電解電容明顯不夠用了，ESR很大，還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點(diǎn)危險(xiǎn)的(低溫時(shí)MOSFET的耐壓值變低)。之前碰到過(guò)90V輸入的時(shí)候輸出電壓跳，或者是LED閃幾次才正常起來(lái)。增加輸入電容容量，改小NTC，增加VCC電容，軟啟動(dòng)時(shí)間加長(zhǎng)，初級(jí)限流(輸入容量不夠，導(dǎo)致電壓很低，電流很大，觸發(fā)保護(hù))從1.2倍放大到1.5倍，IC的VCC繞組增加2T輔助電壓抬高;查找保護(hù)線路是否太極限，低溫被觸發(fā)(如PFC過(guò)壓易被觸發(fā))。

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